半導(dǎo)體芯片制造工章節(jié)練習(xí)(2019.06.25)

來源：考試資料網(wǎng)

1.填空題大容量可編程邏輯器件分為（）和（）。

參考答案：復(fù)雜可編程邏輯器件；現(xiàn)場可編程門陣列

2.問答題影響外延薄膜的生長速度的因素有哪些？

參考答案：1）溫度高溫區(qū)B區(qū)，生長速率對溫度的變化不敏感，生長速率由氣相質(zhì)量輸運(yùn)控制，并且對反應(yīng)室的幾何形狀和氣流有很大的依賴性。...

3.填空題半導(dǎo)體材料的主要晶體結(jié)構(gòu)有（）型、閃鋅礦型、（）型。

參考答案：金剛石；纖鋅礦

4.問答題說明SiO₂的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)，并簡述結(jié)晶型SiO₂和無定形SiO₂的區(qū)別。

參考答案：結(jié)晶形SiO₂——由Si-O四面體在空間規(guī)則排列構(gòu)成每個(gè)頂角的O原子與兩個(gè)...

5.問答題簡述雜質(zhì)在SiO₂的存在形式及如何調(diào)節(jié)SiO₂的物理性質(zhì)。

參考答案：熱氧化層中可能存在各種雜質(zhì)，某些最常見的雜質(zhì)是與水有關(guān)的化合物，其結(jié)構(gòu)如圖所示。如果氧化層在生長中有水存在，一種可能發(fā)生...

6.填空題離子注入是借其（）強(qiáng)行進(jìn)入靶材料中的一個(gè)（）物理過程。

參考答案：動(dòng)能；非平衡

7 外殼設(shè)計(jì)包括（）設(shè)計(jì)、熱性能設(shè)計(jì)和結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)三部分，而可靠性設(shè)計(jì)也包含在這三部分中間。

8.問答題物理氣相淀積最基本的兩種方法是什么？簡述這兩種方法制備薄膜的過程。

參考答案：物理氣相淀積：蒸發(fā)Evaporation、濺射Sputtering熱蒸發(fā)法：在真空條件下，加熱蒸發(fā)源，使原子或分子從蒸發(fā)...

9.問答題簡述RTP設(shè)備的工作原理，相對于傳統(tǒng)高溫爐管它有什么優(yōu)勢？

參考答案：RTP工藝是一類單片熱處理工藝，其目的是通過縮短熱處理時(shí)間和溫度或只縮短熱處理時(shí)間來獲得最小的工藝熱預(yù)算（Thermal...

10.問答題個(gè)投影曝光系統(tǒng)采用ArF光源，數(shù)值孔徑為0.6，設(shè)k1=0.6，n=0.5，計(jì)算其理論分辨率和焦深。

分辨率：
焦深：