下圖是硅烷反應(yīng)淀積多晶硅的過程，寫出發(fā)生反應(yīng)的方程式，并簡述其中1～5各步的含義。
最新試題
例舉并解釋硅中固態(tài)雜質(zhì)擴散的三個步驟。
什么是結(jié)深？
例舉出兩種光刻膠顯影方法。例舉出7種光刻膠顯影參數(shù)。
例舉并描出旋轉(zhuǎn)涂膠的4個基本步驟。
例出光刻的8個步驟，并對每一步做出簡要解釋。
離子源的目的是什么？最常用的離子源是什么？
解釋鋁已經(jīng)被選擇作為微芯片互連金屬的原因。
描述RF濺射系統(tǒng)。
在硅片制造中光刻膠的兩種目的是什么？
哪種化學(xué)氣體經(jīng)常用來刻蝕多晶硅？描述刻蝕多晶硅的三個步驟。
