微電子學章節(jié)練習(2019.12.02)

來源：考試資料網

1.問答題描述投影掩膜版和光掩膜版的區(qū)別？

參考答案：投影掩膜版它包括了要在硅片上重復生成的圖形。這種圖形可能僅包含一個管芯，也可能是幾個光掩膜版通常稱為掩膜版，包含了對于整...

2.問答題述集成電路的常規(guī)掩模版制備的工藝流程。

參考答案：硅平面晶體管或集成電路掩模版的制作，一般地講，要經過原圖繪制（包括繪總圖和刻分圖）、初縮、精縮兼分步重復、復印陰版和復印...

3.問答題列舉并描述薄膜生長的三個階段。

參考答案：第一步是晶核形成：成束的穩(wěn)定小晶核形成，這一步發(fā)生在起初少量原子或分子反應物結合起來，形成附著在硅片表面的分離的小膜層的...

4.填空題薄基區(qū)二極管是指PN結的某一個或兩個中性區(qū)的長度小于（）。在薄基區(qū)二極管中，少子濃度的分布近似為（）。

參考答案：該區(qū)的少子擴散長度；線性分布

5.填空題無源基區(qū)重摻雜的目的是（）。

參考答案：為了降低體電阻

6.問答題簡述雙重鑲嵌銅互連技術的幾個挑戰(zhàn)及雙鑲嵌銅互連工藝流程

參考答案：挑戰(zhàn)：
①高深寬比的金屬層間接觸孔需要點擊一層銅阻擋層以防止銅擴散，這個阻擋層需要良好的側壁和底層階梯覆蓋、優(yōu)...

7 化學氣相淀積SiO₂與熱生長SiO₂相比較，下面哪些說法是正確的：（）。
1.熱生長SiO₂只能在Si襯底上生長；
2.CVD SiO₂可以淀積在硅襯底上，也可以淀積在金屬、陶瓷、及其它半導體材料上；
3.CVD SiO₂，襯底硅不參加反應；
4.CVD SiO₂，溫度低。

8.填空題PN結的正向電流很大，是因為正向電流的電荷來源是（）；PN結的反向電流很小，是因為反向電流的電荷來源是（）。

參考答案：多子；少子

9.問答題離子注入后進行退火工藝的原因是什么？

參考答案：可使裸露的硅片表面生長一層新的阻擋氧化層；高溫使得雜質向硅中移動；可使注入引入的損傷得到修復；使雜質原子與硅原子間的共價...

10.問答題為什么要進行顯影后檢查？

參考答案：為了查找光刻膠中成形圖形的缺陷，鑒別并除去有缺陷的硅片，用來檢查光刻工藝的好壞，為光學光刻工藝生產人員提供用于糾正的信息...