<pre id="gckvt"><small id="gckvt"></small></pre>

<delect id="gckvt"></delect>

<label id="gckvt"></label>

<button id="gckvt"><output id="gckvt"></output></button>

<abbr id="gckvt"></abbr>

網(wǎng)站首頁考試題庫熱門試題智能家居網(wǎng)課試題

大學試題

題庫首頁每日一練章節(jié)練習

半導體材料單項選擇題每日一練(2019.04.24)

來源：考試資料網(wǎng)

1 在光電轉換過程中，Si比GaAs量子效率低，因為其（）。

點擊查看答案

2 重空穴指的是（）。

點擊查看答案

3 用冷熱探筆法測量（）半導體時，冷端帶正電，熱端帶負電。

點擊查看答案

4 下列與硼氧復合體缺陷無關的是（）。

點擊查看答案

5 當晶體生長的較快，內(nèi)坩堝中雜質量變少，晶體的電阻率（）.

點擊查看答案

<meter id="csfxo"></meter>