名詞解釋平均投影射程RP
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刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。
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CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。
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摻雜后退火時(shí)間一般在（）。
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IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
光刻工藝的設(shè)備核心是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。
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下面哪道工序主要是針對(duì)晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
如下哪個(gè)選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題