国产成人久久av免费高潮,久久精品性无码一区二区三区博爱

填空題晶體管的高頻優(yōu)值M是（）與（）的乘積

1.填空題基區(qū)渡越時間是指（）。當基區(qū)寬度加倍時，基區(qū)渡越時間增大到原來的（）倍。

2.填空題隨著信號頻率的提高，晶體管的幅度會（），相角會（）。

3.填空題無源基區(qū)重摻雜的目的是（）。

4.填空題基區(qū)穿通是指當集電結(jié)反向電壓增加到使耗盡區(qū)將（）全部占據(jù)時，集電極電流急劇增大的現(xiàn)象。防止基區(qū)穿通的措施是（）基區(qū)寬度、（）基區(qū)摻雜濃度。

5.填空題當集電結(jié)反偏增加時，集電結(jié)耗盡區(qū)寬度會（），使基區(qū)寬度（），從而使集電極電流（），這就是基區(qū)寬度調(diào)變效應（）。