最新試題
注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關？（）
題型：單項選擇題
進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。
題型：單項選擇題
IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎是（）。
題型：多項選擇題
下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）
題型：單項選擇題
互連工藝中AL的制備可選用（）。
題型：多項選擇題
如下哪個選項不是半導體器件制備過程中的主要污染物？（）
題型：單項選擇題
當許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。
題型：單項選擇題
新的平坦化方法有哪幾個？（）
題型：多項選擇題
碳納米管場效應晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。
題型：判斷題
CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。
題型：多項選擇題