問答題
假設某項化學氣相淀積工藝受反應速率控制，在700 ℃和800 ℃時的淀積速率分別為500Å/min和2000Å/min，請計算在900℃下的淀積速率是多少？實際測量發(fā)現(xiàn)900℃下淀積速率遠低于計算值，說明什么？怎樣證明？（化學氣相淀積的反應速率常數(shù)
）
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1.問答題
識別如圖所示工藝，寫出每個步驟名稱并進行描述。
4.多項選擇題對于CMOS晶體管，要得到良好受控的閾值電壓，需要控制（）等工藝參數(shù)。
A.氧化層厚度；
B.溝道中摻雜濃度；
C.金屬半導體功函數(shù)；
D.氧化層電荷。
5.單項選擇題離子注入過程是一個非平衡過程，高能離子進入靶后不斷與原子核及其核外電子碰撞，逐步損失能量，最后停下來。停下來的位置是隨機的，大部分不在晶格上，因而沒有（）。
A. 電活性
B. 晶格損傷
C. 橫向效應
D. 溝道效應