最新試題
解釋光刻膠選擇比。要求的比例是高還是低？
題型：?jiǎn)柎痤}
干法刻蝕的目的是什么？例舉干法刻蝕同濕法刻蝕相比具有的優(yōu)點(diǎn)。干法刻蝕的不足之處是什么？
題型：?jiǎn)柎痤}
例出光刻的8個(gè)步驟，并對(duì)每一步做出簡(jiǎn)要解釋。
題型：?jiǎn)柎痤}
解釋正性光刻和負(fù)性光刻的區(qū)別？為什么正膠是普遍使用的光刻膠？最常用的正膠是指哪些膠？
題型：?jiǎn)柎痤}
光刻中采用步進(jìn)掃描技術(shù)獲得了什么好處？
題型：?jiǎn)柎痤}
例舉離子注入設(shè)備的5個(gè)主要子系統(tǒng)。
題型：?jiǎn)柎痤}
例舉并解釋硅中固態(tài)雜質(zhì)擴(kuò)散的三個(gè)步驟。
題型：?jiǎn)柎痤}
例舉離子注入工藝和擴(kuò)散工藝相比的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)。
題型：?jiǎn)柎痤}
定義刻蝕速率并描述它的計(jì)算公式。為什么希望有高的刻蝕速率？
題型：?jiǎn)柎痤}
例舉并描述光刻中使用的兩種曝光光源。
題型：?jiǎn)柎痤}