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填空題半導(dǎo)體材料的缺陷主要有（）

1.填空題集成電路用單晶硅的主要制備方法是（）

2.填空題摩爾定律的主要內(nèi)容是（）。

3.填空題（）和（）是半導(dǎo)體器件的最常用摻雜方法。（）、（）是Si常用的施主雜質(zhì)；（）是Si常用的受主雜質(zhì)；（）是GaAs常用的P型摻雜劑；（）是GaAs常用的N型摻雜劑。

4.問(wèn)答題畫出P型（100）、（111）和N型（100）、（111）單晶拋光硅片的外形判別示意圖。

5.填空題半導(dǎo)體集成電路主要的襯底材料有單元晶體材料（）、（）和化合物晶體材料（）、（）；硅COMS集成電路襯底單晶的晶向常選（）；TTL集成電路襯底材料的晶向常選（）；常用的硅集成電路介電薄膜是（）、（）；常用的IC互連線金屬材料是（）、（）。