最新試題
CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。
互連工藝中AL的制備可選用（）。
硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。
摻雜后退火時間一般在（）。
影響封裝芯片特性的溫度有（）。
碳納米管場效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。
多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。
刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。
硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）
如下哪個選項不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）
