判斷題在版圖繪制時繪制源漏區(qū)域的摻雜層圖層時可以繪制一個完全包圍有源區(qū)的圖形,并可以和多晶層交疊,而不是分別在源、漏各繪制一個摻雜層,其主要原因是因?yàn)樵诠に囍胁捎米詫?zhǔn)工藝。
您可能感興趣的試卷
最新試題
一個四輸入的或非門,一般采用幾個pitch?()
題型:單項(xiàng)選擇題
STI技術(shù)相比LOCOS工藝,占地面積更小,而且不會產(chǎn)生鳥嘴效應(yīng)。
題型:判斷題
版圖繪制時一般用哪個圖層來實(shí)現(xiàn)器件連接?()
題型:單項(xiàng)選擇題
顯影后,被曝光區(qū)域的光刻膠被去除,該種光刻膠稱為()。
題型:單項(xiàng)選擇題
MOS晶體管的源區(qū)、漏區(qū)及源、漏之間的溝道區(qū)域通常稱為()。
題型:單項(xiàng)選擇題
薄柵管ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)的ESD保護(hù)能力通常為多少?()
題型:單項(xiàng)選擇題
集成電路版圖物理驗(yàn)證必須要做的步驟主要有哪些?()
題型:多項(xiàng)選擇題
關(guān)于電路的層次,自下向上順序正確的是()。
題型:單項(xiàng)選擇題
MOS結(jié)構(gòu)指的是金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的簡稱。
題型:判斷題
版圖繪制應(yīng)該在哪個視圖中進(jìn)行?()
題型:單項(xiàng)選擇題