判斷題MOS結(jié)構(gòu)指的是金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的簡(jiǎn)稱。

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1.多項(xiàng)選擇題外延雙阱工藝的優(yōu)點(diǎn)包括（）。

A.實(shí)現(xiàn)N阱和P阱獨(dú)立控制
B.更平坦的表面
C.做在阱區(qū)內(nèi)的器件可以減少受到α粒子輻射的影響
D.抑制閂鎖效應(yīng)

2.多項(xiàng)選擇題CMOS制作時(shí)，常常用作鈍化層的材料是（）。

A.氮化硅
B.二氧化硅
C.多晶硅
D.單晶硅

3.多項(xiàng)選擇題集成電路的制造工藝，需要采用隔離技術(shù)，常見的隔離方法有（）。

A.外延隔離
B.埋層隔離
C.PN結(jié)隔離
D.介質(zhì)隔離

4.單項(xiàng)選擇題CMOS工藝中，將PMOS和NMOS的柵進(jìn)行局部互連的材料是（）。

A.多晶硅
B.金屬鋁
C.金屬銅
D.鋁硅銅合金