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判斷題STI技術(shù)相比LOCOS工藝，占地面積更小，而且不會(huì)產(chǎn)生鳥(niǎo)嘴效應(yīng)。

1.判斷題光刻時(shí)，必須將硅片與掩模版進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)，不同的掩模版之間也要對(duì)準(zhǔn)，可以采用仔細(xì)觀察的方法。

2.判斷題形成接觸孔之前，需要先淀積一層PSG或BPSG材料，然后再該層材料上刻蝕出窗口作為接觸孔。

3.判斷題CMOS是由PMOS和NMOS構(gòu)成，制作時(shí)可以是P阱結(jié)構(gòu)，還可以是N阱結(jié)構(gòu)，更可以是雙阱結(jié)構(gòu)。

4.判斷題MOS管的制作一般經(jīng)過(guò)阱區(qū)制作、有源區(qū)光刻、柵氧淀積、柵的淀積和光刻、源漏注入、接觸孔光刻、金屬淀積及反刻、鈍化等工藝。

5.判斷題當(dāng)掩模版上的圖形轉(zhuǎn)移到下方薄膜材料上時(shí)，必須要考慮到光刻膠的性質(zhì)（正膠還是負(fù)膠）。