半導(dǎo)體材料章節(jié)練習(xí)(2018.03.20)
來(lái)源:考試資料網(wǎng)1.名詞解釋集電結(jié)電容充電時(shí)間
參考答案:
隨發(fā)射極電流變化,B-C結(jié)空間電荷區(qū)和集電區(qū)-襯底結(jié)空間電荷區(qū)寬度發(fā)生變化的時(shí)間常數(shù)。
3.名詞解釋等離子體
參考答案:等離子體又叫做電漿,是由部分電子被剝奪后的原子及原子被電離后產(chǎn)生的正負(fù)電子組成的離子化氣體狀物質(zhì),它廣泛存在于宇宙中,常...
4.問(wèn)答題何謂歐姆接觸?
參考答案:金屬與半導(dǎo)體間沒(méi)有整流作用的接觸稱為歐姆接觸。實(shí)際上的歐姆接觸幾乎都是采用金屬-N+N半導(dǎo)體或金屬...
6.名詞解釋異質(zhì)結(jié)
參考答案:兩種不同的半導(dǎo)體材料接觸形成的結(jié)。
8.問(wèn)答題光刻的本質(zhì)是什么?
參考答案:
光刻就是將掩膜版(光刻版)上的幾何圖形轉(zhuǎn)移到覆蓋在半導(dǎo)體襯底表面的對(duì)光輻照敏感的薄膜材料(光刻膠)上去的工藝過(guò)程。
9.名詞解釋亞閾值導(dǎo)電
參考答案:
當(dāng)晶體管柵偏置電壓低于閾值反型點(diǎn)時(shí),MOSFET中的導(dǎo)電過(guò)程。
10.名詞解釋體電荷效應(yīng)
參考答案:
由于漏源電壓改變而引起的沿溝道長(zhǎng)度方向上的空間電荷寬度改變所導(dǎo)致的漏電流偏離理想情況。