半導(dǎo)體材料章節(jié)練習(xí)(2019.04.20)

來源：考試資料網(wǎng)

1.填空題半導(dǎo)體晶體缺陷可以分為（）和微觀缺陷，以及點(diǎn)陣應(yīng)變和表面機(jī)械損傷。

2.問答題半導(dǎo)體單晶中的點(diǎn)缺陷包括什么？

參考答案：空位、填隙原子、絡(luò)合體、外來原子。

3.問答題解釋掃描投影光刻機(jī)是怎樣工作的？掃描投影光刻機(jī)努力解決什么問題？

參考答案：掃描投影光刻機(jī)的概念是利用反射鏡系統(tǒng)把有1：1圖像的整個掩膜圖形投影到硅片表面，其原理是，紫外光線通過一個狹縫聚焦在硅片...

4 如果半導(dǎo)體中存在多種雜質(zhì)，在通常情況下，可以認(rèn)為基本上屬于雜質(zhì)飽和電離范圍，其電阻率與雜質(zhì)濃度的關(guān)系可近似表示為（）.

5.問答題從微觀上看，漩渦缺陷與錯位缺陷有什么區(qū)別？

參考答案：漩渦缺陷：微觀上漩渦條紋由大量的淺蝕坑組成。是條紋處出現(xiàn)密集的平底淺坑單晶或腐蝕小丘單晶。
位錯缺陷：它屬于...

6.名詞解釋亞閾值導(dǎo)電

當(dāng)晶體管柵偏置電壓低于閾值反型點(diǎn)時(shí)，MOSFET中的導(dǎo)電過程。

7.名詞解釋電流集邊

基極串聯(lián)電阻的橫向壓降使得發(fā)射結(jié)電流為非均值。

8.問答題什么是溝道效應(yīng)？抑制方法？

參考答案：1）溝道效應(yīng)：襯底為單晶材料，離子束準(zhǔn)確的沿著晶格方向注入，幾乎不會受到原子核的散射，其縱向分布峰值與高斯分布不同。一部...

9 功率三角形中，功率因數(shù)角所對的邊是（）。

10.名詞解釋復(fù)合電流

穿越空間電荷區(qū)時(shí)發(fā)生復(fù)合的電子與空穴所產(chǎn)生的正偏pn結(jié)電流。