微電子學(xué)章節(jié)練習(xí)(2019.12.02)
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3.問(wèn)答題當(dāng)分辨率增加時(shí)焦深會(huì)發(fā)生什么變化？
5.問(wèn)答題給出硅片制造中光刻膠的兩種目的。
參考答案：
1.將掩膜版圖案轉(zhuǎn)移到硅片表面頂層的光刻膠中。
2.在后續(xù)工藝中保護(hù)下面的材料。
參考答案：500Ω；20Ω；600μm
7.問(wèn)答題簡(jiǎn)述硅的基本性質(zhì)？它的優(yōu)點(diǎn)？
參考答案：降低注入離子能量；分子離子注入；快速熱退火；P；n；BF2+離子替代B+注入；降低B+注入能量；硅注入表面預(yù)非晶化
9.問(wèn)答題解釋PN節(jié)的單向?qū)щ娦裕?/a>
參考答案：載流子漂移（電流）和擴(kuò)散（電流）過(guò)程保持平衡（相等），形成自建場(chǎng)和自建勢(shì)在PN結(jié)上外加一電壓，如果P型一邊接正極，N型一...
10.問(wèn)答題什么樣的光刻設(shè)備對(duì)應(yīng)的過(guò)程是怎樣的？
