半導體芯片制造工半導體制造技術問答題每日一練(2019.07.31)

來源：考試資料網(wǎng)

1.問答題假設進行一次受固溶度限制的預淀積擴散，從摻雜玻璃源引入的雜質總劑量為Qcm^-2。

參考答案：（1）如果這次預淀積進行了總共t分鐘，若預淀積溫度不變，引入3Qcm^-2

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2.問答題離子在靶內運動時，損失能量可分核阻滯和電子阻滯，解釋什么是核阻滯、電子阻滯？兩種阻滯本領與注入離子能量具有何關系？

參考答案：①碰撞注入離子與靶內原子核之間的相互碰撞。因注入離子與靶原子的質量一般為同一數(shù)量級，每次碰撞之后，注入離子都可能發(fā)生大角...

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3.問答題集成電路制造中有哪幾種常見的擴散工藝？各有什么優(yōu)缺點？

參考答案：擴散工藝分類：按原始雜質源在室溫下的相態(tài)分類，可分為固態(tài)源擴散，液態(tài)源擴散和氣態(tài)源擴散。固態(tài)源擴散（1）.開管擴散...

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4.問答題應力分為壓應力和張應力，下圖的形狀是由于哪種應力產(chǎn)生的？請在圖上標出應力的方向。如果要讓上面的結構材料變得平整，要怎么做？

參考答案：張應力（張的時候產(chǎn)生的應力）與壓應力（壓的時候產(chǎn)生的應力）
在張應力作用下，薄膜會相對襯底進行...

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5.問答題對于某種薄膜的CVD過程，淀積溫度為900℃，質量傳輸系數(shù)hG=10cms-1，表面反應速率系數(shù)ks=1×107exp（-1.9eV/kT）cms-1?，F(xiàn)有以下兩種淀積系統(tǒng)可供選擇（1）冷壁，石墨支座型；（2）熱壁，堆放硅片型。應該選用哪種類型的淀積系統(tǒng)并簡述理由。

參考答案：反應室類型熱壁：反應室腔壁與硅片及支撐件同時加熱。一般為電阻絲加熱，可精確控制反應腔溫度和均勻性。適合對溫度控制要求苛刻...

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