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半導(dǎo)體芯片制造工半導(dǎo)體制造技術(shù)問答題每日一練(2019.07.26)

來源：考試資料網(wǎng)

1.問答題 以P₂O₂為例說明SiO₂的掩蔽過程。

參考答案：以P₂O₂雜質(zhì)源為例來說明SiO₂的掩蔽過程：當(dāng)P

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2.問答題在干法刻蝕的終點(diǎn)檢測(cè)方法中，光學(xué)放射頻譜分析法最常見，簡(jiǎn)述其工作原理和優(yōu)缺點(diǎn)。

參考答案：光學(xué)放射頻譜分析是利用檢測(cè)等離子體中某種波長(zhǎng)的光線強(qiáng)度變化來達(dá)到終點(diǎn)檢測(cè)的目的。光強(qiáng)的變化反映了等離子體中原子或分子濃度...

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3.問答題什么是濺射產(chǎn)額，其影響因素有哪些？簡(jiǎn)述這些因素對(duì)濺射產(chǎn)額產(chǎn)生的影響。

參考答案：濺射產(chǎn)額：影響因素：離子質(zhì)量、離子能量、靶原子質(zhì)量、靶的結(jié)晶性只有當(dāng)入射離子的能量超過一定能量（濺射閾值）時(shí)，才能發(fā)生濺...

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4.問答題分別簡(jiǎn)述RVD和GILD的原理，它們的優(yōu)缺點(diǎn)及應(yīng)用方向。

參考答案：快速氣相摻雜（RVD，RapidVapor-phaseDoping）利用快速熱處理過程（RTP）將處在摻雜劑氣氛中的硅片...

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5.問答題CVD淀積過程中兩個(gè)主要的限制步驟是什么？它們分別在什么情況下會(huì)支配整個(gè)淀積速率？

參考答案：CVD過程包括兩個(gè)部分：一、反應(yīng)劑在邊界層中的輸運(yùn)二、反應(yīng)劑在襯底表面的化學(xué)反應(yīng)存在兩種極限情況：①hg>>ks，Cs趨...

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