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半導(dǎo)體芯片制造工半導(dǎo)體制造技術(shù)問答題每日一練(2019.08.01)

來源：考試資料網(wǎng)

1.問答題MEMSSi加工工藝主要分為哪兩類，它們最基本的區(qū)別是什么？

參考答案：Si工藝體硅微機(jī)械加工工藝（Bulkmicromaching）——用晶圓自身材料來制作MEM...

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2.問答題什么是兩步擴(kuò)散工藝，其兩步擴(kuò)散的目的分別是什么？

參考答案：實(shí)際的擴(kuò)散溫度一般為900-1200℃，在這個(gè)溫度范圍內(nèi)，雜質(zhì)在硅中的固溶度隨溫度變化不大，采用恒定表面源...

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3.問答題以P₂O₅為例，多晶硅中雜質(zhì)擴(kuò)散的方式及分布情況。

參考答案：在多晶硅薄膜中進(jìn)行雜質(zhì)擴(kuò)散的擴(kuò)散方式與單晶硅中的方式是不同的，因?yàn)槎嗑Ч柚杏芯Яｉg界存在，所以雜質(zhì)原子主要沿著晶粒間界進(jìn)...

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4.問答題從寄生電阻和電容、電遷移兩方面說明后道工藝中（Back-End-Of-Line，BEOL）采用銅（Cu）互連和低介電常數(shù)（low-k）材料的必要性。

參考答案：寄生電阻和寄生電容造成的延遲。電子在導(dǎo)電過程中會(huì)撞擊導(dǎo)體中的離子，將動(dòng)量轉(zhuǎn)移給離子從而推動(dòng)離子發(fā)生緩慢移動(dòng)。該現(xiàn)象稱為電...

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5.問答題物理氣相淀積最基本的兩種方法是什么？簡(jiǎn)述這兩種方法制備薄膜的過程。

參考答案：物理氣相淀積：蒸發(fā)Evaporation、濺射Sputtering熱蒸發(fā)法：在真空條件下，加熱蒸發(fā)源，使原子或分子從蒸發(fā)...

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