半導(dǎo)體芯片制造工半導(dǎo)體制造技術(shù)問(wèn)答題每日一練(2019.07.26)

來(lái)源：考試資料網(wǎng)

1.問(wèn)答題對(duì)RTP來(lái)說(shuō)，很難在高溫下處理大直徑晶圓片而不在晶圓片邊緣造成熱塑應(yīng)力引起的滑移。分析滑移產(chǎn)生的原因。如果溫度上升速度加快后，滑移現(xiàn)象變得更為嚴(yán)重，這說(shuō)明晶圓片表面上的輻射分布是怎樣的？

參考答案：硅片熱不均勻的因素三個(gè)因素造成硅片的熱不均勻問(wèn)題（硅片邊緣溫度比中心低）：
圓片邊緣接收的熱輻...

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2.問(wèn)答題什么是光刻中常見(jiàn)的表面反射和駐波效應(yīng)？如何解決？

參考答案：表面反射——穿過(guò)光刻膠的光會(huì)從晶圓片表面反射出來(lái)，從而改變投入光刻膠的光學(xué)能量。當(dāng)晶圓片表面有高...

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3.問(wèn)答題以P₂O₅為例，多晶硅中雜質(zhì)擴(kuò)散的方式及分布情況。

參考答案：在多晶硅薄膜中進(jìn)行雜質(zhì)擴(kuò)散的擴(kuò)散方式與單晶硅中的方式是不同的，因?yàn)槎嗑Ч柚杏芯Яｉg界存在，所以雜質(zhì)原子主要沿著晶粒間界進(jìn)...

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4.問(wèn)答題什么是離子分布的偏斜度和峭度，和標(biāo)準(zhǔn)高斯分布有什么區(qū)別？

參考答案：非對(duì)稱(chēng)性常用偏斜度γ（skewness）表示：γ為負(fù)值表明雜質(zhì)分布在表面一側(cè)的濃度增加，即x＜R...

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5.問(wèn)答題從寄生電阻和電容、電遷移兩方面說(shuō)明后道工藝中（Back-End-Of-Line，BEOL）采用銅（Cu）互連和低介電常數(shù)（low-k）材料的必要性。

參考答案：寄生電阻和寄生電容造成的延遲。電子在導(dǎo)電過(guò)程中會(huì)撞擊導(dǎo)體中的離子，將動(dòng)量轉(zhuǎn)移給離子從而推動(dòng)離子發(fā)生緩慢移動(dòng)。該現(xiàn)象稱(chēng)為電...

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