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每日一練
章節(jié)練習(xí)
半導(dǎo)體芯片制造工半導(dǎo)體制造技術(shù)問答題每日一練(2019.07.28)
來源：考試資料網(wǎng)
1.問答題
說明SiO
2
的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)，并簡(jiǎn)述結(jié)晶型SiO
2
和無定形SiO
2
的區(qū)別。
參考答案：
結(jié)晶形SiO
2
——由Si-O四面體在空間規(guī)則排列構(gòu)成每個(gè)頂角的O原子與兩個(gè)...
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2.問答題
什么是離子注入中常發(fā)生的溝道效應(yīng)（Channeling）和臨界角？怎樣避免溝道效應(yīng)？
參考答案：
溝道效應(yīng)：對(duì)晶體靶進(jìn)行離子注入，當(dāng)離子速度方向平行于主晶軸時(shí)，將很少受到核碰撞，離子將沿溝道運(yùn)動(dòng)，注入深度很深。由于溝道...
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3.問答題
對(duì)RTP來說，很難在高溫下處理大直徑晶圓片而不在晶圓片邊緣造成熱塑應(yīng)力引起的滑移。分析滑移產(chǎn)生的原因。如果溫度上升速度加快后，滑移現(xiàn)象變得更為嚴(yán)重，這說明晶圓片表面上的輻射分布是怎樣的？
參考答案：
硅片熱不均勻的因素三個(gè)因素造成硅片的熱不均勻問題（硅片邊緣溫度比中心低）：
圓片邊緣接收的熱輻...
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4.問答題
影響外延薄膜的生長(zhǎng)速度的因素有哪些？
參考答案：
1）溫度高溫區(qū)B區(qū)，生長(zhǎng)速率對(duì)溫度的變化不敏感，生長(zhǎng)速率由氣相質(zhì)量輸運(yùn)控制，并且對(duì)反應(yīng)室的幾何形狀和氣流有很大的依賴性。...
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5.問答題
簡(jiǎn)述RTP設(shè)備的工作原理，相對(duì)于傳統(tǒng)高溫爐管它有什么優(yōu)勢(shì)？
參考答案：
RTP工藝是一類單片熱處理工藝，其目的是通過縮短熱處理時(shí)間和溫度或只縮短熱處理時(shí)間來獲得最小的工藝熱預(yù)算（Thermal...
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