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半導(dǎo)體芯片制造工半導(dǎo)體制造技術(shù)問答題每日一練(2019.07.30)

來源：考試資料網(wǎng)

1.問答題熱蒸發(fā)法淀積薄膜的淀積速率與哪些因素有關(guān)？淀積速率的測(cè)量采用什么辦法？

參考答案：簡述其工作原理。淀積速率與蒸發(fā)材料溫度腔體形狀等因素有關(guān)。淀積速率通常用石英晶體速率指示儀測(cè)量。所用器件為一個(gè)諧振板，它...

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2.問答題 以P₂O₂為例說明SiO₂的掩蔽過程。

參考答案：以P₂O₂雜質(zhì)源為例來說明SiO₂的掩蔽過程：當(dāng)P

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3.問答題以P₂O₅為例，多晶硅中雜質(zhì)擴(kuò)散的方式及分布情況。

參考答案：在多晶硅薄膜中進(jìn)行雜質(zhì)擴(kuò)散的擴(kuò)散方式與單晶硅中的方式是不同的，因?yàn)槎嗑Ч柚杏芯Яｉg界存在，所以雜質(zhì)原子主要沿著晶粒間界進(jìn)...

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4.問答題分別簡述RVD和GILD的原理，它們的優(yōu)缺點(diǎn)及應(yīng)用方向。

參考答案：快速氣相摻雜（RVD，RapidVapor-phaseDoping）利用快速熱處理過程（RTP）將處在摻雜劑氣氛中的硅片...

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5.問答題采用無定形掩膜的情況下進(jìn)行注入，若掩蔽膜/襯底界面的雜質(zhì)濃度減少至峰值濃度的1/10000，掩蔽膜的厚度應(yīng)為多少？用注入雜質(zhì)分布的射程和標(biāo)準(zhǔn)偏差寫出表達(dá)式。

參考答案：無定形靶內(nèi)的縱向濃度分布可用高斯函數(shù)表示：
其中，Rp為投影射程，ΔRp為投影射程的標(biāo)準(zhǔn)偏差，&p...

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