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半導(dǎo)體芯片制造工半導(dǎo)體制造技術(shù)問答題每日一練(2019.07.22)

來源：考試資料網(wǎng)

1.問答題集成電路制造中有哪幾種常見的擴(kuò)散工藝？各有什么優(yōu)缺點(diǎn)？

參考答案：擴(kuò)散工藝分類：按原始雜質(zhì)源在室溫下的相態(tài)分類，可分為固態(tài)源擴(kuò)散，液態(tài)源擴(kuò)散和氣態(tài)源擴(kuò)散。固態(tài)源擴(kuò)散（1）.開管擴(kuò)散...

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2.問答題離子在靶內(nèi)運(yùn)動(dòng)時(shí)，損失能量可分核阻滯和電子阻滯，解釋什么是核阻滯、電子阻滯？?jī)煞N阻滯本領(lǐng)與注入離子能量具有何關(guān)系？

參考答案：①碰撞注入離子與靶內(nèi)原子核之間的相互碰撞。因注入離子與靶原子的質(zhì)量一般為同一數(shù)量級(jí)，每次碰撞之后，注入離子都可能發(fā)生大角...

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3.問答題什么是兩步擴(kuò)散工藝，其兩步擴(kuò)散的目的分別是什么？

參考答案：實(shí)際的擴(kuò)散溫度一般為900-1200℃，在這個(gè)溫度范圍內(nèi)，雜質(zhì)在硅中的固溶度隨溫度變化不大，采用恒定表面源...

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4.問答題射頻放電與直流放電相比有何優(yōu)點(diǎn)？

參考答案：直流放電中，電荷在表面的積聚會(huì)使電場(chǎng)減小，直到等離子體消失。在射頻電場(chǎng)中，因?yàn)殡妶?chǎng)周期性地改變方向，帶電粒子不容易到達(dá)電...

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5.問答題 下圖為一個(gè)典型的離子注入系統(tǒng)。（1）給出1~6數(shù)字標(biāo)識(shí)部分的名稱，簡(jiǎn)述其作用。（2）闡述部件2的工作原理。

參考答案：1.離子源2.分析磁塊3.加速器4.中性束閘5.x&y掃描板6.法拉第杯
1.離子源作用：產(chǎn)生注入用的離子原理...

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