亚洲人精品69堂,AA网毛片I8岁

單項選擇題源漏注入之后，必須進行（）工藝，修復(fù)晶格損傷，激活雜質(zhì)。

A.氧化
B.快速熱處理
C.退火
D.擴散

1.單項選擇題未進行摻雜的二氧化硅薄膜，通常簡寫為（）。

A.PSG
B.USG
C.BSG
D.FSG

2.單項選擇題我們利用LOCOS技術(shù)制作MOS中的（）。

A.場氧區(qū)
B.源、漏
C.柵
D.有源區(qū)

3.單項選擇題顯影后，被曝光區(qū)域的光刻膠被去除，該種光刻膠稱為（）。

A.負膠
B.正膠
C.光刻抗蝕劑
D.光阻

4.單項選擇題MOS晶體管的源區(qū)、漏區(qū)及源、漏之間的溝道區(qū)域通常稱為（）。

A.有源區(qū)
B.場區(qū)
C.襯底區(qū)
D.阱區(qū)

5.單項選擇題氧化層中摻雜了硼雜質(zhì)，一般稱為（）。

A.PSG
B.BPSG
C.BSG
D.FSG