多項選擇題集成電路的制造工藝，需要采用隔離技術(shù)，常見的隔離方法有（）。
A.外延隔離
B.埋層隔離
C.PN結(jié)隔離
D.介質(zhì)隔離
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.單項選擇題CMOS工藝中，將PMOS和NMOS的柵進(jìn)行局部互連的材料是（）。
A.多晶硅
B.金屬鋁
C.金屬銅
D.鋁硅銅合金
2.單項選擇題為了實現(xiàn)全局平坦化，在集成電路中，經(jīng)常采用（）工藝。
A.反刻
B.CMP
C.SOG
D.高溫回流
3.單項選擇題以下工藝中，方塊電阻是一個重要的參數(shù)，一般用于衡量（）工藝中雜質(zhì)情況。
A.氧化
B.擴(kuò)散
C.光刻
D.刻蝕
4.單項選擇題在制作MOS管時，采用LOCOS工藝容易出現(xiàn)（）。
A.溝道效應(yīng)
B.鳥嘴效應(yīng)
C.寄生效用
D.閂鎖效應(yīng)
5.單項選擇題光刻時，將掩模版直接放在晶圓表面，與表面的光刻膠接觸，該種光刻方式稱為（）。
A.接觸式
B.接近式
C.投影式
D.步進(jìn)式
最新試題
為了實現(xiàn)全局平坦化，在集成電路中，經(jīng)常采用（）工藝。
題型：單項選擇題
為了后續(xù)連接方便，信號端一般用什么圖層引出?（）
題型：單項選擇題
源漏注入之后，必須進(jìn)行（）工藝，修復(fù)晶格損傷，激活雜質(zhì)。
題型：單項選擇題
光刻時，必須將硅片與掩模版進(jìn)行對準(zhǔn)，不同的掩模版之間也要對準(zhǔn)，可以采用仔細(xì)觀察的方法。
題型：判斷題
顯影后，被曝光區(qū)域的光刻膠被去除，該種光刻膠稱為（）。
題型：單項選擇題
我們利用LOCOS技術(shù)制作MOS中的（）。
題型：單項選擇題
用四端器件繪制電路圖時，NMOS管和PMOS管的襯底連接正確的是（）。
題型：單項選擇題
電源線和地線一般用什么圖層來畫？（）
題型：單項選擇題
反相器的版圖一般用到幾個pitch？（）
題型：單項選擇題
CMOS工藝中，將PMOS和NMOS的柵進(jìn)行局部互連的材料是（）。
題型：單項選擇題