單項選擇題以下工藝中,方塊電阻是一個重要的參數,一般用于衡量()工藝中雜質情況。
A.氧化
B.擴散
C.光刻
D.刻蝕
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1.單項選擇題在制作MOS管時,采用LOCOS工藝容易出現()。
A.溝道效應
B.鳥嘴效應
C.寄生效用
D.閂鎖效應
2.單項選擇題光刻時,將掩模版直接放在晶圓表面,與表面的光刻膠接觸,該種光刻方式稱為()。
A.接觸式
B.接近式
C.投影式
D.步進式
3.單項選擇題源漏注入之后,必須進行()工藝,修復晶格損傷,激活雜質。
A.氧化
B.快速熱處理
C.退火
D.擴散
4.單項選擇題未進行摻雜的二氧化硅薄膜,通常簡寫為()。
A.PSG
B.USG
C.BSG
D.FSG
5.單項選擇題我們利用LOCOS技術制作MOS中的()。
A.場氧區(qū)
B.源、漏
C.柵
D.有源區(qū)
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