問(wèn)答題分別畫(huà)出單大馬士革和雙大馬士革工藝流程圖。
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1.問(wèn)答題在銅互連中，為什么要用銅擴(kuò)散阻擋層？阻擋層分成哪幾種，分別起什么作用？
4.問(wèn)答題簡(jiǎn)述電子束光刻的光柵掃描方法和矢量掃描方法有何區(qū)別。
最新試題
給出投影掩模板的定義。投影掩模板和光掩模板的區(qū)別是什么？
題型：?jiǎn)柎痤}
定義刻蝕選擇比。干法刻蝕的選擇比是高還是低？高選擇比意味著什么？
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例舉離子注入設(shè)備的5個(gè)主要子系統(tǒng)。
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例舉并描出旋轉(zhuǎn)涂膠的4個(gè)基本步驟。
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解釋鋁已經(jīng)被選擇作為微芯片互連金屬的原因。
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解釋光刻膠顯影。光刻膠顯影的目的是什么？
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例舉并解釋硅中固態(tài)雜質(zhì)擴(kuò)散的三個(gè)步驟。
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描述電子回旋共振（ECR）。
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哪種化學(xué)氣體經(jīng)常用來(lái)刻蝕多晶硅？描述刻蝕多晶硅的三個(gè)步驟。
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什么是阻擋層金屬？阻擋層材料的基本特征是什么？哪種金屬常被用作阻擋層金屬？
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