給定器件結構和摻雜分布，采用數(shù)值方法直接求解器件的基本方程，得到直流（DC.、交流（AC.、瞬態(tài)特性和某些電學參數(shù)））。
最新試題
硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。
消除鳥嘴效應的方法有（）。
厚膜電阻的成分，一是導體顆粒，二是（）。
影響封裝芯片特性的溫度有（）。
多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。
封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。
當許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。
光刻工藝的設備核心是（）。
下面哪些元素屬于半徑較小的雜質原子？（）
新的平坦化方法有哪幾個？（）