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填空題MOS場效應晶體管的開啟電壓指的是：（）。所以，NMOS管的開啟電壓為（），PMOS管的開啟電壓為（）。

1.填空題光刻工藝的分辨率決定于：（）和曝光、顯影、刻蝕條件的正確控制。正膠的分辨率（）于負膠的分辨率；光刻膠越薄，分辨率越（）。

2.填空題前烘的目的是（）使膠膜中的溶劑只有初始濃度的（）。從而，使膠的（）性能穩(wěn)定。對正膠，前烘過度會使非曝光區(qū)的膠（）；前烘不足，會使膠的感光度（），對比度（），線條邊緣不陡直。所以，必須嚴格控制前烘的（）和（）。

3.填空題光刻膠的三種主要成分是：（）。正膠的感光劑是（），曝光使其（），正膠的曝光區(qū)在顯影后（）；曝光使負膠的感光劑（），使曝光區(qū)在顯影后（）。

4.填空題光學光刻機的主要曝光光線的是波長為（）的g線和（）的i線，適合1微米以上特征尺寸的光刻。常用（）的KrF和（）的ArF準分子激光做1微米以下特征尺寸的光刻光源。

5.填空題光學光刻機主要有（）等幾種。非光學光刻機主要有（）。