多項(xiàng)選擇題外延雙阱工藝的優(yōu)點(diǎn)包括（）。
A.實(shí)現(xiàn)N阱和P阱獨(dú)立控制
B.更平坦的表面
C.做在阱區(qū)內(nèi)的器件可以減少受到α粒子輻射的影響
D.抑制閂鎖效應(yīng)
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1.多項(xiàng)選擇題CMOS制作時(shí)，常常用作鈍化層的材料是（）。
A.氮化硅
B.二氧化硅
C.多晶硅
D.單晶硅
2.多項(xiàng)選擇題集成電路的制造工藝，需要采用隔離技術(shù)，常見的隔離方法有（）。
A.外延隔離
B.埋層隔離
C.PN結(jié)隔離
D.介質(zhì)隔離
3.單項(xiàng)選擇題CMOS工藝中，將PMOS和NMOS的柵進(jìn)行局部互連的材料是（）。
A.多晶硅
B.金屬鋁
C.金屬銅
D.鋁硅銅合金
4.單項(xiàng)選擇題為了實(shí)現(xiàn)全局平坦化，在集成電路中，經(jīng)常采用（）工藝。
A.反刻
B.CMP
C.SOG
D.高溫回流
5.單項(xiàng)選擇題以下工藝中，方塊電阻是一個(gè)重要的參數(shù)，一般用于衡量（）工藝中雜質(zhì)情況。
A.氧化
B.擴(kuò)散
C.光刻
D.刻蝕
最新試題
源漏注入之后，必須進(jìn)行（）工藝，修復(fù)晶格損傷，激活雜質(zhì)。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
為了實(shí)現(xiàn)全局平坦化，在集成電路中，經(jīng)常采用（）工藝。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
展現(xiàn)電路的邏輯電路連接的是哪種視圖模式?（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
CMOS電路是通過有源區(qū)進(jìn)行隔離的，屬于絕緣介質(zhì)隔離。
題型：判斷題
版圖繪制應(yīng)該在哪個(gè)視圖中進(jìn)行？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
在組合電路中，NMOS管串聯(lián)實(shí)現(xiàn)的是什么邏輯？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
我們利用LOCOS技術(shù)制作MOS中的（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
顯影后，被曝光區(qū)域的光刻膠被去除，該種光刻膠稱為（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
集成電路再分析軟件其處理的主要對(duì)象是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
CMOS制作時(shí)，常常用作鈍化層的材料是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題