單項(xiàng)選擇題CMOS工藝中，將PMOS和NMOS的柵進(jìn)行局部互連的材料是（）。
A.多晶硅
B.金屬鋁
C.金屬銅
D.鋁硅銅合金
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1.單項(xiàng)選擇題為了實(shí)現(xiàn)全局平坦化，在集成電路中，經(jīng)常采用（）工藝。
A.反刻
B.CMP
C.SOG
D.高溫回流
2.單項(xiàng)選擇題以下工藝中，方塊電阻是一個(gè)重要的參數(shù)，一般用于衡量（）工藝中雜質(zhì)情況。
A.氧化
B.擴(kuò)散
C.光刻
D.刻蝕
3.單項(xiàng)選擇題在制作MOS管時(shí)，采用LOCOS工藝容易出現(xiàn)（）。
A.溝道效應(yīng)
B.鳥嘴效應(yīng)
C.寄生效用
D.閂鎖效應(yīng)
4.單項(xiàng)選擇題光刻時(shí)，將掩模版直接放在晶圓表面，與表面的光刻膠接觸，該種光刻方式稱為（）。
A.接觸式
B.接近式
C.投影式
D.步進(jìn)式
5.單項(xiàng)選擇題源漏注入之后，必須進(jìn)行（）工藝，修復(fù)晶格損傷，激活雜質(zhì)。
A.氧化
B.快速熱處理
C.退火
D.擴(kuò)散
最新試題
版圖繪制應(yīng)該在哪個(gè)視圖中進(jìn)行？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
用四端器件繪制電路圖時(shí)，NMOS管和PMOS管的襯底連接正確的是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
無論是施加正偏壓還是反偏壓，MOS電容都是一種線性電容。
題型：判斷題
展現(xiàn)電路的邏輯電路連接的是哪種視圖模式?（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
光刻時(shí)，必須將硅片與掩模版進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)，不同的掩模版之間也要對(duì)準(zhǔn)，可以采用仔細(xì)觀察的方法。
題型：判斷題
關(guān)于電路的層次，自下向上順序正確的是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
CMOS制作時(shí)，常常用作鈍化層的材料是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
MOS管版圖一般匹配原則有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
光刻時(shí)，將掩模版直接放在晶圓表面，與表面的光刻膠接觸，該種光刻方式稱為（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
集成電路再分析軟件其處理的主要對(duì)象是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題