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判斷題MOS管的制作一般經(jīng)過(guò)阱區(qū)制作、有源區(qū)光刻、柵氧淀積、柵的淀積和光刻、源漏注入、接觸孔光刻、金屬淀積及反刻、鈍化等工藝。

1.判斷題當(dāng)掩模版上的圖形轉(zhuǎn)移到下方薄膜材料上時(shí)，必須要考慮到光刻膠的性質(zhì)（正膠還是負(fù)膠）。

2.判斷題如果掩模版上絕大多數(shù)部分是不透光的區(qū)域，只有很少一部分透光，這種掩模版稱(chēng)為亮場(chǎng)掩模版。

3.判斷題掩模版一般是在石英玻璃涂抹上一定形狀的鉻等材料，形成明暗相間的圖形。

4.判斷題制作MOS管時(shí)，一般先進(jìn)行源的注入，再進(jìn)行漏的注入。

5.判斷題CMOS制作時(shí)，源、漏、柵等結(jié)構(gòu)都做在場(chǎng)氧化區(qū)。