問(wèn)答題解釋投射電子能顯微鏡。
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1.問(wèn)答題硅片關(guān)鍵尺寸測(cè)量的主要工具是什么？
3.問(wèn)答題什么是外延層？為什么硅片上要使用外延層？
4.問(wèn)答題將圓柱形的單晶硅錠制備成硅片需要哪些工藝流程？
最新試題
例舉離子注入工藝和擴(kuò)散工藝相比的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)。
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例舉出兩種光刻膠顯影方法。例舉出7種光刻膠顯影參數(shù)。
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例舉并描出旋轉(zhuǎn)涂膠的4個(gè)基本步驟。
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在硅片制造中光刻膠的兩種目的是什么？
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定義刻蝕選擇比。干法刻蝕的選擇比是高還是低？高選擇比意味著什么？
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解釋離子束擴(kuò)展和空間電荷中和。
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例舉雙大馬士革金屬化過(guò)程的10個(gè)步驟。
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刻蝕工藝有哪兩種類型？簡(jiǎn)單描述各類刻蝕工藝。
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例舉并描述光刻中使用的兩種曝光光源。
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解釋掃描投影光刻機(jī)是怎樣工作的？掃描投影光刻機(jī)努力解決什么問(wèn)題？
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