判斷題制作MOS管結(jié)構(gòu)時(shí)，源漏雖然結(jié)構(gòu)完全對(duì)稱，但摻雜濃度不同。
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光刻時(shí)，將掩模版直接放在晶圓表面，與表面的光刻膠接觸，該種光刻方式稱為（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
如果想在電路圖模式下編輯符號(hào)，可以選擇以下哪個(gè)命令？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
MOS管版圖一般匹配原則有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
反相器的版圖一般用到幾個(gè)pitch？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
STI技術(shù)相比LOCOS工藝，占地面積更小，而且不會(huì)產(chǎn)生鳥嘴效應(yīng)。
題型：判斷題
光刻時(shí)，必須將硅片與掩模版進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)，不同的掩模版之間也要對(duì)準(zhǔn)，可以采用仔細(xì)觀察的方法。
題型：判斷題
MOS晶體管的源區(qū)、漏區(qū)及源、漏之間的溝道區(qū)域通常稱為（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
版圖繪制應(yīng)該在哪個(gè)視圖中進(jìn)行？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
以下工藝中，方塊電阻是一個(gè)重要的參數(shù)，一般用于衡量（）工藝中雜質(zhì)情況。
題型：單項(xiàng)選擇題
在組合電路中，NMOS管串聯(lián)實(shí)現(xiàn)的是什么邏輯？（）
題型：單項(xiàng)選擇題