判斷題采用雙阱工藝，可以實(shí)現(xiàn)PMOS和NMOS的獨(dú)立控制。
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
最新試題
未進(jìn)行摻雜的二氧化硅薄膜，通常簡寫為（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
集成電路再分析軟件其處理的主要對象是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
如果制作柵氧結(jié)構(gòu)，一般采用的方法是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
外延雙阱工藝的優(yōu)點(diǎn)包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
電源線和地線一般用什么圖層來畫？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
薄柵管ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)的ESD保護(hù)能力通常為多少？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
在制作MOS管時(shí)，采用LOCOS工藝容易出現(xiàn)（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
顯影后，被曝光區(qū)域的光刻膠被去除，該種光刻膠稱為（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
以下工藝中，方塊電阻是一個(gè)重要的參數(shù)，一般用于衡量（）工藝中雜質(zhì)情況。
題型：單項(xiàng)選擇題
用四端器件繪制電路圖時(shí)，NMOS管和PMOS管的襯底連接正確的是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題