判斷題利用重?fù)诫s的多晶硅作為MOS管的柵,可以使得MOS電路特性得到改善,閾值電壓下降。
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薄柵管ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)的ESD保護(hù)能力通常為多少?()
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以下工藝中,方塊電阻是一個(gè)重要的參數(shù),一般用于衡量()工藝中雜質(zhì)情況。
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無(wú)論是施加正偏壓還是反偏壓,MOS電容都是一種線性電容。
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集成電路再分析軟件其處理的主要對(duì)象是()。
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如果制作柵氧結(jié)構(gòu),一般采用的方法是()。
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為了實(shí)現(xiàn)全局平坦化,在集成電路中,經(jīng)常采用()工藝。
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版圖繪制時(shí)一般用哪個(gè)圖層來(lái)實(shí)現(xiàn)器件連接?()
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如果想在電路圖模式下編輯符號(hào),可以選擇以下哪個(gè)命令?()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
顯影后,被曝光區(qū)域的光刻膠被去除,該種光刻膠稱為()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題