單項選擇題摩爾定律中每一代集成電路上晶體管密度翻倍值是多少？（）

A.1倍
B.2倍
C.3倍
D.4倍


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3.多項選擇題外延雙阱工藝的優(yōu)點包括（）。

A.實現(xiàn)N阱和P阱獨立控制
B.更平坦的表面
C.做在阱區(qū)內的器件可以減少受到α粒子輻射的影響
D.抑制閂鎖效應

4.多項選擇題CMOS制作時，常常用作鈍化層的材料是（）。

A.氮化硅
B.二氧化硅
C.多晶硅
D.單晶硅

5.多項選擇題集成電路的制造工藝，需要采用隔離技術，常見的隔離方法有（）。

A.外延隔離
B.埋層隔離
C.PN結隔離
D.介質隔離