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每日一練
章節(jié)練習(xí)
半導(dǎo)體芯片制造工半導(dǎo)體制造技術(shù)問答題每日一練(2019.05.13)
來源：考試資料網(wǎng)
1.問答題
采用無定形掩膜的情況下進(jìn)行注入，若掩蔽膜/襯底界面的雜質(zhì)濃度減少至峰值濃度的1/10000，掩蔽膜的厚度應(yīng)為多少？用注入雜質(zhì)分布的射程和標(biāo)準(zhǔn)偏差寫出表達(dá)式。
參考答案：
無定形靶內(nèi)的縱向濃度分布可用高斯函數(shù)表示：
其中，Rp為投影射程，ΔRp為投影射程的標(biāo)準(zhǔn)偏差，&p...
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2.問答題
什么是光刻中常見的表面反射和駐波效應(yīng)？如何解決？
參考答案：
表面反射——穿過光刻膠的光會從晶圓片表面反射出來，從而改變投入光刻膠的光學(xué)能量。當(dāng)晶圓片表面有高...
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3.問答題
寫出菲克第一定律和第二定律的表達(dá)式，并解釋其含義。
參考答案：
費(fèi)克第一定律：C雜質(zhì)濃度；D擴(kuò)散系數(shù)（單位為cm2/s）J材料凈流量（單位時間內(nèi)流過單位面積的原子個數(shù)）解釋：如果在一個...
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4.問答題
分別畫出單大馬士革和雙大馬士革工藝流程圖。
參考答案：
5.問答題
什么是擴(kuò)散效應(yīng)？什么是自摻雜效應(yīng)？這兩個效應(yīng)使得襯底/外延界面雜質(zhì)分布有怎樣的變化？
參考答案：
擴(kuò)散效應(yīng)是指襯底中的雜質(zhì)與外延層中的雜質(zhì)，在外延生長時互相擴(kuò)散，引起襯底與外延層界面附近雜質(zhì)濃度的緩慢變化。擴(kuò)散效應(yīng)對界...
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