采用CF4作為氣體源對(duì)SiO2進(jìn)行刻蝕,在進(jìn)氣中分別加入O2或H2對(duì)刻蝕速率有什么影響?隨著O2或H2進(jìn)氣量的增加,對(duì)Si和SiO2刻蝕選擇性怎樣變化?為什么?