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半導體芯片制造工半導體制造技術(shù)問答題每日一練(2019.07.24)

來源：考試資料網(wǎng)

1.問答題說明影響氧化速率的因素。

參考答案：1）氧化劑分壓因為平衡情況下，SiO₂中氧化劑的濃度C0=HPg，而拋物型速率常數(shù)B=2D

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2.問答題簡述幾種常用的氧化方法及其特點。

參考答案：制備SiO2的方法有很多，熱分解淀積、濺射、真空蒸發(fā)、陽極氧化法、化學氣相淀積、熱氧化法等。熱生長法制備的SiO2質(zhì)量好...

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3.問答題浸沒式光刻機相對于傳統(tǒng)的光刻機有何不同。

參考答案：根據(jù)瑞利判據(jù)：要提高分辨率，可以通過增大數(shù)值孔徑NA來實現(xiàn)。傳統(tǒng)曝光設(shè)備在鏡頭與硅片之間的介質(zhì)是空氣，空氣的折射率是1；...

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4.問答題常用濺射技術(shù)有哪幾種，簡述它們的工作原理和特點。

參考答案：直流濺射——惰性氣體，如氬，送入低壓下的濺射腔體，電壓加在電極上產(chǎn)生等離子體。加負直流電壓的的是...

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5.問答題 下圖為硅外延生長速度對H₂中SiCL₄摩爾分量的函數(shù)曲線，試分析曲線走勢，并給出其變化的原因。

參考答案：SiCL₄濃度較小，SiCL₄被氫還原析出硅原子的速度遠小于被釋放出來的硅原...

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