最新試題
解釋發(fā)生刻蝕反應的化學機理和物理機理。
給出投影掩模板的定義。投影掩模板和光掩模板的區(qū)別是什么?
例舉并描述光刻中使用的兩種曝光光源。
描述RF濺射系統(tǒng)。
描述曝光波長和圖像分辨率之間的關系。
定義刻蝕速率并描述它的計算公式。為什么希望有高的刻蝕速率?
干法刻蝕的目的是什么?例舉干法刻蝕同濕法刻蝕相比具有的優(yōu)點。干法刻蝕的不足之處是什么?
例舉并解釋硅中固態(tài)雜質擴散的三個步驟。
解釋光刻膠顯影。光刻膠顯影的目的是什么?
解釋什么是暗場掩模板?