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問答題采用LPCVD TEOS淀積的是什么膜？這層膜的優(yōu)點(diǎn)是什么？

1.問答題質(zhì)量輸運(yùn)限制CVD和反應(yīng)速度限制CVD工藝的區(qū)別？

2.問答題名詞解釋：CVD、LPCVD、PECVD、VPE、BPSG。（將這些名詞翻譯成中文并做出解釋）。

3.問答題例舉高k介質(zhì)和低k介質(zhì)在集成電路工藝中的作用。

4.問答題描述CVD反應(yīng)中的8個(gè)步驟。

1）質(zhì)量傳輸
2）薄膜先驅(qū)物反應(yīng)
3）氣體分子擴(kuò)散
4）先驅(qū)物吸附
5）先驅(qū)物擴(kuò)散進(jìn)襯底
6）表面反應(yīng)
7）副產(chǎn)物解吸
8）副產(chǎn)物去除

5.問答題例舉淀積的5種主要技術(shù)。