問(wèn)答題名詞解釋：CVD、LPCVD、PECVD、VPE、BPSG。（將這些名詞翻譯成中文并做出解釋）。
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1.問(wèn)答題例舉高k介質(zhì)和低k介質(zhì)在集成電路工藝中的作用。
2.問(wèn)答題描述CVD反應(yīng)中的8個(gè)步驟。
3.問(wèn)答題例舉淀積的5種主要技術(shù)。
5.問(wèn)答題例舉并描述薄膜生長(zhǎng)的三個(gè)階段。
最新試題
干法刻蝕的目的是什么？例舉干法刻蝕同濕法刻蝕相比具有的優(yōu)點(diǎn)。干法刻蝕的不足之處是什么？
題型：?jiǎn)柎痤}
例舉并描述光刻中使用的兩種曝光光源。
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例舉并描出旋轉(zhuǎn)涂膠的4個(gè)基本步驟。
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例舉出兩種光刻膠顯影方法。例舉出7種光刻膠顯影參數(shù)。
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描述RF濺射系統(tǒng)。
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例舉并解釋硅中固態(tài)雜質(zhì)擴(kuò)散的三個(gè)步驟。
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敘述氮化硅的濕法化學(xué)去除工藝。
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例舉并討論引入銅金屬化的五大優(yōu)點(diǎn)。
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例舉離子注入工藝和擴(kuò)散工藝相比的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)。
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解釋發(fā)生刻蝕反應(yīng)的化學(xué)機(jī)理和物理機(jī)理。
題型：?jiǎn)柎痤}