判斷題制作場氧區(qū)的時(shí)候，氮化硅的作用是作為LOCOS氧化時(shí)的掩蔽層。
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MOS結(jié)構(gòu)指的是金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的簡稱。
題型：判斷題
光刻時(shí)，將掩模版直接放在晶圓表面，與表面的光刻膠接觸，該種光刻方式稱為（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
如果制作柵氧結(jié)構(gòu)，一般采用的方法是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
版圖繪制時(shí)一般用哪個(gè)圖層來實(shí)現(xiàn)器件連接？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
CMOS電路是通過有源區(qū)進(jìn)行隔離的，屬于絕緣介質(zhì)隔離。
題型：判斷題
在制作MOS管時(shí)，采用LOCOS工藝容易出現(xiàn)（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
MOS晶體管的源區(qū)、漏區(qū)及源、漏之間的溝道區(qū)域通常稱為（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
未進(jìn)行摻雜的二氧化硅薄膜，通常簡寫為（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
如果想在電路圖模式下編輯符號，可以選擇以下哪個(gè)命令？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
薄柵管ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)的ESD保護(hù)能力通常為多少？（）
題型：單項(xiàng)選擇題