半導體芯片制造工半導體制造技術章節(jié)練習(2018.02.01)
來源：考試資料網(wǎng)
參考答案：1.離子源2.分析磁塊3.加速器4.中性束閘5.x&y掃描板6.法拉第杯
1.離子源作用：產(chǎn)生注入用的離子原理... 參考答案：APCVD——一些最早的CVD工藝是在大氣壓下進行的，由于反應速率快，CVD系統(tǒng)簡單，適于較厚的... 參考答案：制備SiO2的方法有很多，熱分解淀積、濺射、真空蒸發(fā)、陽極氧化法、化學氣相淀積、熱氧化法等。熱生長法制備的SiO2質(zhì)量好... 參考答案：非對稱性常用偏斜度γ（skewness）表示：γ為負值表明雜質(zhì)分布在表面一側的濃度增加，即x＜R... 參考答案：表面反射——穿過光刻膠的光會從晶圓片表面反射出來，從而改變投入光刻膠的光學能量。當晶圓片表面有高... 參考答案：生長過程：①傳輸：反應物從氣相經(jīng)邊界層轉移到Si表面；②吸附：反應物吸附在Si表面；③化學反應：在Si表面進行化學反應，... 參考答案：物理氣相淀積：蒸發(fā)Evaporation、濺射Sputtering熱蒸發(fā)法：在真空條件下，加熱蒸發(fā)源，使原子或分子從蒸發(fā)... 參考答案：根據(jù)瑞利判據(jù)：要提高分辨率，可以通過增大數(shù)值孔徑NA來實現(xiàn)。傳統(tǒng)曝光設備在鏡頭與硅片之間的介質(zhì)是空氣，空氣的折射率是1；... 參考答案：ab段為無光放電區(qū)；bc段為湯生放電；c點為放電的著火點，cd段為前期輝光放電；de段為正常輝光放電區(qū)ef段為反常輝光放... 參考答案：直流放電中，電荷在表面的積聚會使電場減小，直到等離子體消失。在射頻電場中，因為電場周期性地改變方向，帶電粒子不容易到達電...
