半導(dǎo)體芯片制造工半導(dǎo)體制造技術(shù)章節(jié)練習(xí)(2019.05.02)

來源：考試資料網(wǎng)
參考答案：加入少量的氧氣能夠提高Si和SiO2的刻蝕速率。加入少量的氫氣可以導(dǎo)致Si和SiO2
參考答案：費克第一定律：C雜質(zhì)濃度；D擴散系數(shù)（單位為cm2/s）J材料凈流量（單位時間內(nèi)流過單位面積的原子個數(shù)）解釋：如果在一個...
參考答案：溝道效應(yīng)：對晶體靶進行離子注入，當(dāng)離子速度方向平行于主晶軸時，將很少受到核碰撞，離子將沿溝道運動，注入深度很深。由于溝道...
參考答案：擴散工藝分類：按原始雜質(zhì)源在室溫下的相態(tài)分類，可分為固態(tài)源擴散，液態(tài)源擴散和氣態(tài)源擴散。固態(tài)源擴散（1）.開管擴散...
參考答案：硼退火特性電激活比例：自由載流子數(shù)p和注入劑量Ns的比對于低劑量的情況，隨退火溫度上升，電激活比例增大。對于高劑量情況，...
參考答案：腐蝕停止目的：為了精確控制腐蝕深度.P++腐蝕停止技術(shù)（形成重摻雜B層）：Si的濕法腐蝕速率在B摻雜濃度<1×10
參考答案：寄生電阻和寄生電容造成的延遲。電子在導(dǎo)電過程中會撞擊導(dǎo)體中的離子，將動量轉(zhuǎn)移給離子從而推動離子發(fā)生緩慢移動。該現(xiàn)象稱為電...
參考答案：涂膠→前烘→對準與曝光→曝光后烘烤→顯影→堅膜→顯影檢查
參考答案：SiCL4濃度較小，SiCL4被氫還原析出硅原子的速度遠小于被釋放出來的硅原...