<strike id="hplev"><menuitem id="hplev"><table id="hplev"></table></menuitem></strike>

<rt id="hplev"></rt>

<samp id="hplev"></samp><samp id="hplev"><listing id="hplev"><dl id="hplev"></dl></listing></samp>

網(wǎng)站首頁考試題庫熱門試題智能家居網(wǎng)課試題

通信電子計算機技能考試

題庫首頁每日一練章節(jié)練習(xí)

半導(dǎo)體芯片制造工半導(dǎo)體制造技術(shù)問答題每日一練(2019.01.25)

來源：考試資料網(wǎng)

1.問答題 下圖為硅外延生長速度對H₂中SiCL₄摩爾分量的函數(shù)曲線，試分析曲線走勢，并給出其變化的原因。

參考答案：SiCL₄濃度較小，SiCL₄被氫還原析出硅原子的速度遠(yuǎn)小于被釋放出來的硅原...

點擊查看完整答案

2.問答題簡述雜質(zhì)在SiO₂的存在形式及如何調(diào)節(jié)SiO₂的物理性質(zhì)。

參考答案：熱氧化層中可能存在各種雜質(zhì)，某些最常見的雜質(zhì)是與水有關(guān)的化合物，其結(jié)構(gòu)如圖所示。如果氧化層在生長中有水存在，一種可能發(fā)生...

點擊查看完整答案

3.問答題簡述在熱氧化過程中雜質(zhì)再分布的四種可能情況。

參考答案：如果假設(shè)硅中的雜質(zhì)分布是均勻的，而且氧化氣氛中又不含有任何雜質(zhì)，則再分布有四種可能。①分凝系數(shù)m＜l，且在SiO

點擊查看完整答案

4.問答題采用無定形掩膜的情況下進行注入，若掩蔽膜/襯底界面的雜質(zhì)濃度減少至峰值濃度的1/10000，掩蔽膜的厚度應(yīng)為多少？用注入雜質(zhì)分布的射程和標(biāo)準(zhǔn)偏差寫出表達式。

參考答案：無定形靶內(nèi)的縱向濃度分布可用高斯函數(shù)表示：
其中，Rp為投影射程，ΔRp為投影射程的標(biāo)準(zhǔn)偏差，&p...

點擊查看完整答案

5.問答題畫出側(cè)墻轉(zhuǎn)移工藝和self-aligned double patterning（SADP）的工藝流程圖。

參考答案：

^{<strike id="pzhyx"></strike>}