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每日一練
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半導(dǎo)體芯片制造工半導(dǎo)體制造技術(shù)問答題每日一練(2019.03.15)
來源:考試資料網(wǎng)
1.問答題
典型的光刻工藝主要有哪幾步?簡(jiǎn)述各步驟的作用。
參考答案:
涂膠→前烘→對(duì)準(zhǔn)與曝光→曝光后烘烤→顯影→堅(jiān)膜→顯影檢查
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2.問答題
簡(jiǎn)述在熱氧化過程中雜質(zhì)再分布的四種可能情況。
參考答案:
如果假設(shè)硅中的雜質(zhì)分布是均勻的,而且氧化氣氛中又不含有任何雜質(zhì),則再分布有四種可能。①分凝系數(shù)m<l,且在SiO
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3.問答題
畫出側(cè)墻轉(zhuǎn)移工藝和self-aligned double patterning(SADP)的工藝流程圖。
參考答案:
4.問答題
以P
2
O
2
為例說明SiO
2
的掩蔽過程。
參考答案:
以P
2
O
2
雜質(zhì)源為例來說明SiO
2
的掩蔽過程:當(dāng)P
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5.問答題
在銅互連中,為什么要用銅擴(kuò)散阻擋層?阻擋層分成哪幾種,分別起什么作用?
參考答案:
1)銅在SiO
2
中極易擴(kuò)散,造成對(duì)硅器件的沾污:增加SiO
2
的漏電流;增加結(jié)...
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