判斷題制備多晶硅之前先做一層薄氧,這層薄氧是柵氧。
您可能感興趣的試卷
最新試題
MOS晶體管的源區(qū)、漏區(qū)及源、漏之間的溝道區(qū)域通常稱為()。
題型:單項選擇題
光刻時,將掩模版直接放在晶圓表面,與表面的光刻膠接觸,該種光刻方式稱為()。
題型:單項選擇題
如果制作柵氧結(jié)構(gòu),一般采用的方法是()。
題型:單項選擇題
集成電路的制造工藝,需要采用隔離技術(shù),常見的隔離方法有()。
題型:多項選擇題
集成電路再分析軟件其處理的主要對象是()。
題型:單項選擇題
未進行摻雜的二氧化硅薄膜,通常簡寫為()。
題型:單項選擇題
氧化層中摻雜了硼雜質(zhì),一般稱為()。
題型:單項選擇題
CMOS制作時,常常用作鈍化層的材料是()。
題型:多項選擇題
無論是施加正偏壓還是反偏壓,MOS電容都是一種線性電容。
題型:判斷題
為了后續(xù)連接方便,信號端一般用什么圖層引出?()
題型:單項選擇題